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技術(shù)應(yīng)用

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技術(shù)應(yīng)用
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5G通信用-低介電高分子材料

發(fā)布時間:2025-02-06作者來源:金航標瀏覽:27

5G 通訊技術(shù)的實現(xiàn)對于新材料的依賴程度將超過以往任何一代。這主要由5G通訊技術(shù)的特征所決定的。


與傳統(tǒng)4G等通信技術(shù)相比,5G通信技術(shù)接入工作器件需滿足全頻譜接入、高頻段乃至毫米波傳輸、超高寬帶傳輸三大基礎(chǔ)性能要求,其制備材料則需要具有實現(xiàn)大規(guī)模集成化、高頻化和高頻譜效率等特點。


相比4G通訊技術(shù),5G通訊技術(shù)采用亞6GHz(sub-6 GHz)以及毫米波(milli meter wave)進行信號傳輸,在毫米波頻段內(nèi),當電場通過介質(zhì)時,由于介質(zhì)分子交替極化和晶格來回碰撞而產(chǎn)生的熱損耗將加劇。


因此,5G通訊技術(shù)要求設(shè)備需要更低的信號延遲這對現(xiàn)有材料的綜合性能提出了苛刻的要求。


研究表明,通訊技術(shù)中的信號傳輸損耗(TL)主要包括導(dǎo)體損耗(TLC)與介質(zhì)損耗(TLD)。介質(zhì)損耗 TLD與介質(zhì)材料的介電常數(shù)(Dk)以及介電損耗(Df)有關(guān)。


高頻通訊中,為了降低介質(zhì)損耗TLD以及信號傳輸延遲Td就必須盡可能減少介質(zhì)材料的Dk與Df值,即采用具有低介電特性的高分子介質(zhì)材料。同時,要求所使用的高分子介質(zhì)材料的介電性能隨著頻率、溫度以及濕度的變化越小越好。



常見高分子材料的介電特性





圖片

圖片來源:絕緣材料,2020,53(8)



低介電材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計與優(yōu)化





低介電高分子材料的設(shè)計核心在于降低分子極性和減少吸水性。常見的策略包括:  

1. 非極性基團引入:如含氟基團(-F)和亞甲基(-CH2-)可顯著降低極性,從而減少介電常數(shù)。  

2. 分子鏈結(jié)構(gòu)優(yōu)化:通過剛性結(jié)構(gòu)(如芳環(huán))與柔性鏈段結(jié)合,平衡力學(xué)性能與介電特性。例如,聚酰亞胺(PI)因其分子鏈中的剛性苯環(huán)和低極性酰亞胺鍵,表現(xiàn)出優(yōu)異的耐高溫和低介電性能。  

3. 孔隙結(jié)構(gòu)設(shè)計:微孔發(fā)泡技術(shù)通過引入空氣(介電常數(shù)≈1)降低材料整體介電常數(shù)。例如,日本古河電工開發(fā)的“Smart Cellular Board?”利用微發(fā)泡技術(shù),使材料介電常數(shù)降至2.5以下,同時減輕重量30%。



主要低介電材料及其改性方法





1. 聚苯硫醚(PPS) 


PPS因耐高溫、阻燃等特性被廣泛使用,但其介電常數(shù)(約3.0)需進一步降低。


改性方法包括:  

物理共混:與聚四氟乙烯(PTFE,Dk≈1.8)或低介電玻纖復(fù)合,但需添加相容劑(如PTW)以改善界面結(jié)合。  

化學(xué)改性:引入含氟基團、含氟單體(如六氟雙酚A)或硅氧烷結(jié)構(gòu),例如氟化籠形聚倍半硅氧烷(POSS)可將Dk降至2.5。

納米復(fù)合:添加氮化硼(BN)納米片,Df降低至0.001(10 GHz)。  

應(yīng)用:5G基站濾波器外殼、連接器


2. 液晶聚合物(LCP)


LCP被認為是目前可滿足5G高頻應(yīng)用需求的 [敏感詞]應(yīng)用前景的low-Dk 與low-Df 高分子材料之一。


LCP由剛性介晶基元和柔性鏈段交替排列形成,具有分子鏈高度取向的特性,介電常數(shù)低至2.5(1 GHz),且在高頻下穩(wěn)定性優(yōu)異。LCP分子結(jié)構(gòu)中的酯鍵具有吸水率低、剛性大、耐熱性優(yōu)良。其薄膜化技術(shù)(如擠出流延法)在5G天線和柔性電路板中應(yīng)用廣泛。


關(guān)鍵性能:

介電常數(shù)(Dk):2.9~3.1(10 GHz),介電損耗(Df):0.002~0.005。

熱變形溫度:280~320°C,適用于高溫焊接工藝。

低吸濕性(吸水率<0.02%),確保高頻下性能穩(wěn)定。

應(yīng)用場景:5G毫米波天線基板、柔性電路板(FPC)、高速連接器


性能不足

各向異性(分子取向度高);鍵合強度低;表面易出現(xiàn)纖維狀;耐彎折性能低、改性難、價格高等。


代表產(chǎn)品:村田制作所的LCP薄膜(MetroCirc?),厚度可低至25μm。  


3. 聚四氟乙烯(PTFE)


關(guān)鍵特性:Dk≈1.8,Df:0.0003~0.001。耐化學(xué)腐蝕性極強,適用于惡劣環(huán)境。但力學(xué)強度低、加工困難。

改性技術(shù):添加二氧化、或陶瓷粉體(如Al?O?)或陶瓷纖維(如SiO2)共混,提升剛性并維持Dk<2.0。

應(yīng)用領(lǐng)域:高頻電路基板、雷達波導(dǎo)元件。


4. 聚酰亞胺(PI)


聚酰亞胺是主鏈上含酰亞胺環(huán)(-CO-NR-CO-)的一類高分子材料,其綜合性能優(yōu)越,具有較好的熱穩(wěn)定性(長期使用溫度范圍為-200~300℃)、力學(xué)性能、耐輻射性、低吸濕性和化學(xué)穩(wěn)定性。


但是,傳統(tǒng)PI的Dk≈3.2(1 MHz),難以滿足高頻需求。

PI通過引入三氟甲基(-CF3)或六氟二酐單體,可將Dk降至2.3(如杜邦公司的Pyralux? AP),同時保持耐高溫性能(>400℃),適用于高頻覆銅板(FCCL)、芯片封裝材料


5. 聚苯醚(PPO)


PPO具有較高的Tg(210℃)、較低的Dk值(2.45,1 MHz)和Df值(0.000 7,1 MHz)而且還具有熱膨脹系數(shù)(CTE)低、吸水率低、尺寸穩(wěn)定性好等優(yōu)點,是具有超高頻應(yīng)用潛力的CCL基體樹脂。


不足之處:

① 數(shù)均分子量高(Mn =4000~9100 g/mol)、熔體黏度較高、加工性能不佳;

② 耐溶劑性能差,尤其不耐鹵代烴和芳香烴,影響其加工及應(yīng)用;

③ 熔點和Tg 接近,耐高溫性能差。


改性方法:

①  制備低分子量的PPO(Mn<4000 g/mol),提高其溶解性,改善加工性;

②  在端羥基、側(cè)甲基及主鏈上引入活性基團,或制備超支化的PPO,提高其耐溶劑性和耐熱性;

③ 與環(huán)氧樹脂、氰酸酯樹脂、雙馬來酰亞胺樹脂、聚烯烴等形成二元、三元復(fù)合PPO樹脂體系,提高其熱穩(wěn)定性和耐溶劑性;

④ 引入無機微、納米粒子如低聚倍半硅氧烷(POSS)、納米二氧化硅(SiO2 )等進行無機/有機復(fù)合,因無機組分產(chǎn)生的多孔性,可充分利用空氣的低介電特性,進一步提高PPO的低介電性能。



低介電材料突破與進展





1. 超低介電氣凝膠

特性:孔隙率>90%,Dk可低至1.2(如二氧化硅氣凝膠)。  

瓶頸:力學(xué)強度差,需通過聚合物交聯(lián)(如聚氨酯涂層)增強。  


2. 共價有機框架(COFs)

優(yōu)勢:規(guī)則孔道結(jié)構(gòu)降低極性,Dk≈1.5~2.0。  

研究進展:中科院開發(fā)出熱穩(wěn)定性>300°C的氟化COF薄膜。  


3. 生物基高分子

案例:聚乳酸(PLA)通過納米纖維素改性,Dk降至2.7,兼具可降解性。



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